HAST及PCT試驗(yàn)箱JESD22試驗(yàn)方法說明
HAST及PCT試驗(yàn)箱JESD22試驗(yàn)方法說明
HAST/PCT試驗(yàn)說明
JESD22-A101,JESD22-A102,JESD22-A110，JESD22-A118
1.JESD22-A101-C:穩(wěn)態(tài)溫度，濕度/偏壓，壽命試驗(yàn)（溫濕度偏壓壽命）
試驗(yàn)條件包括：溫度，相對濕度，和元件加偏壓的時(shí)間
常用測試條件：85℃±2/85%R.H±5/7.12psia（49.1kpa）/8mA/1000h
本方法用于評估非氣密性封裝IC器件在濕度環(huán)境下的可靠性，通過溫度/濕度/偏壓條件應(yīng)用于加速濕氣的滲透，同時(shí)需要維持一個規(guī)定的溫度和相對的持續(xù)濕度在規(guī)定偏壓電路來測試提供電子連接元件。
（評估非密封封裝的固態(tài)設(shè)備在高溫高濕條件下的運(yùn)行可靠性，同時(shí)也能加速評估是否水霧能滲透穿過外部保護(hù)密封材料或是沿著外部保護(hù)材料和金屬導(dǎo)體之間的接口進(jìn)入內(nèi)部。）
2.JESD22-A110 ：HAST高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)
常用測試條件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h
3.JESD22-A118：溫濕度無偏壓高加速應(yīng)力實(shí)驗(yàn)UHAST（無偏置電壓未飽和高壓蒸汽）
試驗(yàn)條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓力和時(shí)間
執(zhí)行無偏 HAST 是為了評估非密封封裝的可靠性,潮濕環(huán)境中的固態(tài)器件。這是一個高度加速的測試，采用溫度和非冷凝條件下的濕度，以加速水分通過外部滲透保護(hù)材料（密封劑或密封）或沿外部保護(hù)材料與穿過它的金屬導(dǎo)體。 在此測試中不應(yīng)用偏壓以確保故障機(jī)制可能會被偏差掩蓋（例如，電偶腐蝕）。 該測試用于識別封裝內(nèi)部的失效機(jī)制，具有破壞性。
（芯片處于密閉空間內(nèi)高溫、高濕、高壓的加速因子下，以實(shí)驗(yàn)封裝的抗腐蝕能力，確定其可靠性。）
常用測試條件：130℃±2/85%R.H±5/33.3psia（230kpa）96h（264h）和110℃±2/85%R.H±5/17.7psia（122kpa）264h（96h）樣品數(shù)25ea/lot , 3lots
4.JESD22-A102-E：PCT高壓蒸煮試驗(yàn)
試驗(yàn)條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓力和持續(xù)時(shí)間。
本方法用于評估非氣密性封裝IC器件在濕度環(huán)境下的可靠性。溫度/濕度/偏壓條件應(yīng)用于加速濕氣的滲透，可通過外部保護(hù)材料（塑封料或封口），或沿著外部保護(hù)材料與金屬傳導(dǎo)材料之間滲透。
5.JESD22-A102-D：PCT無偏壓高壓加速抗?jié)裥栽囼?yàn)
試驗(yàn)條件包括：溫度，相對濕度，蒸汽壓和時(shí)間。
本方法用于耐濕性評估和強(qiáng)健性測試。目的在于用壓縮濕氣和飽和濕氣環(huán)境下，評估非氣密性封裝固態(tài)元件的抗?jié)裥浴Ｔ诟邏?、高濕條件下加速濕氣滲透（塑封料、芯片鈍化層）或設(shè)計(jì)變更（芯片、觸電尺寸）與金屬導(dǎo)電層間界面的滲透，從而識別封裝內(nèi)部的失效機(jī)制，是破壞性的。
常用測試條件：121℃±2/100%R.H/29.7psia（205kpa）/24h,48h,96h,168h,240h,336h
執(zhí)行試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法Cx：不飽和高壓蒸汽的恒定濕熱
IEC60068-2-66-1994環(huán)境試驗(yàn).第2-66部分：試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Cx：穩(wěn)態(tài)濕熱
JESD22-A100循環(huán)的溫度和濕度偏移壽命
JESD22-A101穩(wěn)態(tài)溫度，濕度/偏壓，壽命試驗(yàn)（溫濕度偏壓壽命）
JESD22-A102高壓蒸煮試驗(yàn)（加速抗?jié)裥詽B透）
JESD22-A108溫度、偏置電壓和工作壽命
JESD22-A110 HAST高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)
JESD22-A118溫濕度無偏壓高加速應(yīng)力實(shí)驗(yàn)UHAST（無偏置電壓未飽和高壓蒸汽）
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